半导体清洗工艺

发布时间：2023-05-12
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半导体清洗工艺是指清洗半导体制造过程中所使用的一系列化学和物理工艺。常规的半导体清洗工艺包括以下几个步骤：
 
1. 使用雪花清洗机喷射清洗：雪花清洗机 即液态二氧化碳雪清洗机，利用液态二氧化碳低温得特性清洗金手指表面氧化物，效果极佳。
 
1. 粗清洗：该步骤旨在去除表面的砂粒、尘埃、油污等杂质。一般会使用去离子水、有机溶剂等清洗液进行清洗。
 
2. 碱性清洗：该步骤会使用浓度较高的碱性清洗液，如氢氧化钠（NaOH）或氢氧化铵（NH4OH），以去除金属表面的氧化物和其他污染物。
 
3. 酸性清洗：该步骤会使用浓度较高的酸性清洗液，如硝酸（HNO3）或氢氟酸（HF），以去除金属表面上的氧化物、碳偏等杂质。
 
4. 成膜清洗：该步骤会使用超纯水和有机溶剂进行清洗，目的是去除分子层沉积工艺（CVD）和物理气相沉积工艺（PECVD）后残留在晶片表面的有机物。
 
5. 终端清洗：该步骤是去除清洗过程中留下的残留物。使用去离子水和有机溶剂进行清洗，清洗液会通过参考标准得到纯化处理。
 
需要注意的是，半导体清洗工艺非常严格，需要保证清洗液的纯度、浓度和温度等参数，以避免对晶片产生损害。因此，需要在完全掌握相关知识和技术的前提下才能进行清洗操作。
 
 
 
 
 
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